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1200℃开启式真空/气氛管式炉CVD系统(CVD-TF)

CVD-TF12P50/60/80/100   CVD-TF12T50/60/80/100   CVD-TF12P50/60/80/100S   CVD-TF12T50/60/80/100S
此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。 优点 炉膛采用多晶莫来纤维真空吸附制成,温场均匀节能50%以上
自主研发的空气导流隔热技术保证箱内各部件的使用寿命及恒温效果
…… 安全性 过升报警、菜单锁定、过升防止、复电延时
采用单向阀技术,使气体流量在可控压力范围内控制,保证安全
■ 产品特点

提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境,应用在半导体、纳米技术、碳纤维等领域

使用温度范围   300~1200℃              温度控制精度    ±1℃          管径φ50φ60φ80φ100

■产品特点:

炉膛采用多晶莫来纤维真空吸附制成,温场均匀节能50%以上

自主研发的空气导流隔热技术保证箱内各部件的使用寿命及恒温效果

启动电炉,排温风机同时自动运行,试验结束后,排温风机将继续运行,直至炉体温度低于60℃,排温风机自行停止,有效保护了炉体表面

炉门开启自动断电、超温保护功能、漏电保护功能,以确保使用的安全性

电路采用连续加热输出方式,双回路供电,强弱电单独走线提高了系统的稳定性

加热模块采用直流信号调节输出功率,避免了感应电对控制信号的干扰

操作按键选用低压金属按钮,自带状态指示灯,操作安全直观

上下炉体采用航空插头连接方式,连接安全可靠方便

气路总成采用食品级316不锈钢制成,具有耐蚀性,耐大气腐蚀性和耐高温强度好,无磁性

采用数显流量显示仪,配合质量流量控制器,采集数据并控制流量。具有控制精度高,重复性好,相应速度快,稳定可靠等特点。(气体质量流量控制系统)

自动控制与手动控制切换功能,自动控制模式能通过设定值自动开启/关闭真空泵,使容器内保持在一定的真空压力范围内。手动控制模式使用用户通过真空泵开启/关闭按钮直接操作真空泵。以满足不同实验的需要。(中真空控制系统)

电磁阀缓启动技术,使电磁阀在真空泵开启10秒钟后打开,使炉管内系统压力保持准确,也保证了废气不会返回到炉管系统影响实验效果(中真空控制系统)


■安全性:

过升报警、菜单锁定、过升防止、复电延时。

采用单向阀技术,使气体流量在可控压力范围内控制,保证安全。

采用混气罐装置,使气体可以在充分混合后导入工作室内,确保不会泄露。


■ 技术参数

1200cvd-TF参数.jpg

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